温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP45H21DHE-13
1个P沟道 耐压:450V 电流:800mA
- 描述
- 这款450V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格，具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿问题。受益于该器件的应用包括各种电信和通用高压开关电路。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP45H21DHE-13
- 商品编号
- C3289929
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.003nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25.5pF |
商品概述
RM4503S8采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。SOP - 8封装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用，适合如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 30V，ID = 10A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 18mΩ
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
- P沟道
- VDS = -30V，ID = -9.1A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 20mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理