NDS8410A
N沟道,电流:10.8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS8410A
- 商品编号
- C3289737
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS7764S旨在取代同步DC:DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻和低栅极电荷。FDS7764S采用仙童的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- 栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻 = 9.0 mΩ
- 13.5 A、30 V。栅源电压为10V时，漏源导通电阻 = 7.5 mΩ
- 包含SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值25 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻和快速开关
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器