NDS8410A
N沟道,电流:10.8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS8410A
- 商品编号
- C3289737
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOST技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计,可将导通电阻降至最低,并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用,如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 10.8 A、30 V RDS(ON) = 12 m Ω @ VGS = 10 V
- R D S (ON) = 17 m Ω @ V GS = 4.5 V
- 超低栅极电荷
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路