HUFA76504DK8T
双N沟道,电流:2.3A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA76504DK8T
- 商品编号
- C3289732
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
采用专有高单元密度 DMOS 技术制造的 SO-8 封装 N 沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.200 Ω,VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.222 Ω,VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 内部RG = 50 Ω
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 瞬态热阻抗曲线与电路板安装面积关系
应用领域
- 直流电机控制-DC/DC 转换