IPL60R199CPAUMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:16.4A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R199CPAUMA1
- 商品编号
- C3289355
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 199mΩ@9.9A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@660uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.52nF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CoolMOS™ CP 系列器件兼具快速开关超结（SJ）MOSFET 的所有优势，且使用便捷。极低的开关损耗和导通损耗，使开关应用更高效、更紧凑、更轻便、更低温。
商品特性
- 减少电路板空间占用
- 提高功率密度
- 短换相回路
- 平滑的开关波形
- 易于使用的产品
- 极低的 FOM（Rdson*Qg 和 Eoss）带来极低损耗
- 针对目标应用（服务器、适配器）通过 JEDEC（J-STD20 和 JESD22）认证
- 无铅镀层，无卤素
应用领域
- 服务器
- 适配器