FDFMA2P853T
双P沟道MOSFET,电流:-3.0A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFMA2P853T
- 商品编号
- C3288664
- 商品封装
- MicroFET-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 具备集成快速体二极管，可用于功率因数校正（PFC）和诸如零电压开关（ZVS）移相全桥和 LLC 等谐振开关拓扑。
商品特性
- 市场上采用最新的 650V 汽车级认证技术，集成快速体二极管，具备超低反向恢复电荷（Qrr）
- 最低品质因数（FOM）：导通电阻（RDS(on)）乘以栅极电荷（Qg），以及导通电阻（RDS(on)）乘以输出存储能量（Eoss）
- 经过 100%雪崩测试
- 在表面贴装器件（SMD）和通孔器件（THD）封装中拥有同类最佳的导通电阻（RDS(on)）
应用领域
- 单向和双向直流-直流（DC-DC）转换器
- 车载电池充电器