STB36NM60N
汽车级,电流:29A,耐压:600V
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- 描述
- 汽车级N沟道600 V、0.093 Ohm典型值、29 A MDmesh II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB36NM60N
- 商品编号
- C3288161
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.722nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.75pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。对于低外形应用，还提供通孔版本（IRL2203NL）。
商品特性
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 100%栅极电阻（RG）测试
- 无铅