STB36NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:29A
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描述
汽车级N沟道600 V、0.093 Ohm典型值、29 A MDmesh II功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB36NM60N商品编号
C3288161商品封装
D2PAK(TO-263)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@14.5A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 83.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.722nF@100V | |
| 工作温度 | - |
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