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DMT2004UFDF-7
1个N沟道 耐压:24V 电流:14.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT2004UFDF-7
- 商品编号
- C3282011
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.683nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 559pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（5 x 6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运-电机驱动、家庭自动化