UPA2590T1H-T2-AT
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2590T1H-T2-AT
- 商品编号
- C3282039
- 商品封装
- VSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
相似推荐
其他推荐