UPA2210T1M-T1-AT
1个P沟道 耐压:20V 电流:7.2A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2210T1M-T1-AT
- 商品编号
- C3282040
- 商品封装
- VSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V,7.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@10V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款互补MOSFET器件采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- Q1：N沟道
- 5.5 A、20 V。VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 21 mΩ
- VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 35 mΩ
- Q2：P沟道
- -3.8 A、20 V。VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 43 mΩ
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 70 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- DC/DC转换
- 电源管理
- 负载开关
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