UPA2562T1H-T1-AT
双N沟道,电流:4.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2562T1H-T1-AT
- 商品编号
- C3282037
- 商品封装
- VSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极电荷（QG）和栅漏电荷（QGD）
- 小尺寸封装
- 低外形，高度仅0.62mm
- 完全无铅，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC-Q），具备高可靠性
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护
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