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DMG3415UFY4Q-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMG3415UFY4Q-7

1个P沟道 耐压:16V 电流:2.5A

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,适用于高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMG3415UFY4Q-7
商品编号
C3282101
商品封装
X2-DFN2015-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)16V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)1.35W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)282pF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)152pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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