UPA2550T1H-T2-AT
2个P沟道 耐压:12V 电流:5A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2550T1H-T2-AT
- 商品编号
- C3282041
- 商品封装
- VSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装。这使得Micro8成为印刷电路板空间宝贵的应用场景的理想器件。Micro8的低外形高度（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 非常小的SOIC封装
- 低外形高度（<1.1mm）
- 快速开关
- 无铅
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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