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UPA2550T1H-T2-AT

2个P沟道耐压:12V 电流:5A

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: UPA2550T1H-T2-AT
商品编号: C3282041
商品封装: VSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装。这使得Micro8成为印刷电路板空间宝贵的应用场景的理想器件。Micro8的低外形高度（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。

商品特性

超低导通电阻
非常小的SOIC封装
低外形高度（<1.1mm）
快速开关
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	12V
	连续漏极电流(Id)	5A
	导通电阻(RDS(on))	40mΩ@4.5V,2.5A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	2.2W
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	8.7nC@4V
	输入电容(Ciss)	930pF@10V
	工作温度	-