FDW2508P
双P通道MOSFET,电流:-6A,耐压:-12V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW2508P
- 商品编号
- C3281973
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.644nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 602pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 987pF |
商品特性
- -6 A,-12 V。VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 18 mΩ
- VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 22 mΩ
- VGS = -1.8 V 时,RDS(ON) = 30 mΩ
- 低栅极电荷(典型值 26 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP-8 封装
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护