NDH8304P
双P沟道增强模式场效应晶体管,电流:-2.7A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDH8304P
- 商品编号
- C3281948
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 415pF |
商品概述
采用专有高单元密度 DMOS 技术生产的 SuperSOT-8 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要在极小外形尺寸表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.18 Ω，栅源电压（VGS） = -4.5 V
- -2.2 A, -30 V。漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.11 Ω，栅源电压（VGS） = -10 V
- 采用铜引线框架的专有 SuperSOT-8 封装设计，具备卓越的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路