FDR8702H
20V N沟道和P沟道MOSFET,电流:3.6A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDR8702H
- 商品编号
- C3281947
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- N沟道:在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 38 mΩ
- 3.6 A、20V:在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 54 mΩ
- P沟道:在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 80 mΩ
- -2.6 A、-20V:在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 110 mΩ
- 开关速度快。
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理