DMN61D9UW-13
N沟道,电流:340mA,耐压:60V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN61D9UW-13
- 商品编号
- C3280220
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 440mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.9pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为超小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 > 2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路