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SI4413ADY-T1-E3

1个P沟道耐压:30V 电流:10.5A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI4413ADY-T1-E3
商品编号: C3279836
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可能超过0.8W。

商品特性

第五代技术
超低导通电阻
表面贴装
提供卷带包装
动态dv/dt额定值
快速开关
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	7.5mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	95nC@5V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	类型	P沟道