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SI4564DY-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:10A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。TrenchFET功率MOSFET。100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：Notebook PCs
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4564DY-T1-GE3
- 商品编号
- C3279920
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
AO4498将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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