FDJ129P
P沟道,电流:4.2A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDJ129P
- 商品编号
- C3279703
- 商品封装
- SC-75-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款指定为 1.8V 的 P 沟道 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺，针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 120 mΩ
- -4.2 A,-20 V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 70 mΩ
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 紧凑的行业标准 SC75-6 表面贴装封装
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-电池管理-负载开关