FDFMJ2P023Z
P沟道,电流:-2.9A,耐压:-20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFMJ2P023Z
- 商品编号
- C3279699
- 商品封装
- SC-75(MicroFET)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这款指定为1.8V的P沟道MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。它针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- MOSFET
- 在VGS = -4.5 V、ID = -2.9 A时,最大rDS(on) = 112 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -2.4 A时,最大rDS(on) = 160 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -2.1 A时,最大rDS(on) = 210 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -1.0 A时,最大rDS(on) = 300 mΩ
- 低栅极电荷、高功率和电流处理能力
- 典型HBM ESD保护等级 >1.5 kV
- 肖特基二极管
- 在100 mA时,VF < 400 mV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理-负载开关