FDFMJ2P023Z
P沟道,电流:-2.9A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFMJ2P023Z
- 商品编号
- C3279699
- 商品封装
- SC-75(MicroFET)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这款指定为1.8V的P沟道MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。它针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -1.5 A，-20 V
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 140 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 180 mΩ
- 当VGS = -1.8 V时，RDS(ON) = 250 mΩ
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 采用紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装
应用领域
- 电池管理-负载开关