2SK2858-T1-A
N沟道 MOSFET,电流:0.1A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2858-T1-A
- 商品编号
- C3279677
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道SyncFET™采用先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。该器件还具备高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A时，最大导通电阻rDS(on) = 1.8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 28 A时，最大导通电阻rDS(on) = 2.1 mΩ
- 高性能技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- SyncFET™肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
相似推荐
其他推荐