FDMB668P
P沟道 MOSFET,电流:-6.1A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMB668P
- 商品编号
- C3278422
- 商品封装
- MLP-8(3x1.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品概述
适用于902 MHz至928 MHz频率范围的工业、科学和医疗（ISM）应用的600 W LDMOS功率模块。该模块专为高功率连续波（CW）应用而设计。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -6.1 A 时,最大 rDS(on) = 35 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -5.1 A 时,最大 rDS(on) = 50 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -4.3 A 时,最大 rDS(on) = 70 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V 时,非常适合便携式应用
- 超薄外形——最大高度 = 0.8mm
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载开关应用于:
- 硬盘驱动器(HDD)
- 便携式游戏机、MP3
- 笔记本电脑
- DC/DC 转换