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HXY4606S
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 此款消费级N+P沟道MOSFET封装于SOP-8，专为高效能双向电源控制打造。额定电压30V，最大连续电流6A，适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
- 商品型号
- HXY4606S
- 商品编号
- C3033416
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
HXY20N03D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 6A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 22mΩ
- VDS = -30V,ID = -5.5A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- SOP-8封装
- N沟道和P沟道