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HXY4614S
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7.2A
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压40V，最大连续电流7.2A，适用于电池管理、电源转换等双向电压控制场景。集成双通道设计，具备低导通电阻与快速切换能力，确保在正负电压下均能高效稳定工作，是现代电子设备的理想功率开关组件。
- 商品型号
- HXY4614S
- 商品编号
- C3033413
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
HXY5N10AI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 125mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源