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HXY4612S
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 这款消费级N+P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为60V电压环境设计，额定电流5A。适用于电池管理系统、AC/DC转换器等应用，具备双极性开关功能，实现正负电压控制。低导通电阻和卓越的开关性能确保了在高效率电源转换中的稳定表现。
- 商品型号
- HXY4612S
- 商品编号
- C3033414
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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