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HXY4559S
双通道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:60V
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- 描述
- 这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，适用于60V电压系统，额定电流6A。双通道设计实现正负电压控制，应用于电池管理、电源转换等领域，拥有低导通电阻和高效开关性能，是电子设备中不可或缺的高性价比双向功率开关组件。
- 商品型号
- HXY4559S
- 商品编号
- C3033415
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
HXY4612S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 70mΩ
- VDS = -60V，ID = -4A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机