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HXY4805S
双P沟道增强型MOSFET,电流:-11A,耐压:-30V
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- 描述
- 这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压应用设计，提供双通道高效能导通，额定电流高达8.5A。适用于电池管理系统、电源转换和负载控制等场景，凭借其低导通电阻和快速开关特性，确保在各种电子设备中实现卓越的双向功率管理效能。
- 商品型号
- HXY4805S
- 商品编号
- C3033412
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HXY5N10MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 120 mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 143 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源