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HXY4435S
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为30V电压应用设计，提供高达9A的连续电流承载能力。具有出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源管理以及高功率负载切换，确保电子设备高效稳定运行。
- 商品型号
- HXY4435S
- 商品编号
- C3033411
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |