HXY4435S
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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描述
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为30V电压应用设计，提供高达9A的连续电流承载能力。具有出色的低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源管理以及高功率负载切换，确保电子设备高效稳定运行。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY4435S商品编号
C3033411商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.175nF@25V |
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