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HXY4828S
双N沟道增强型MOSFET,电流:6.5A,耐压:60V
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- 描述
- 本款消费级MOSFET采用SOP-8封装，集成双N沟道技术，额定电压60V，连续电流高达6.5A。专为高效电源转换、电池管理系统设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在高电压应用场合下稳定可靠工作，是现代电子产品节能高效的理想选择。
- 商品型号
- HXY4828S
- 商品编号
- C3033410
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HXY4407S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且栅极电压低至2.5V时仍可正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -12A
- RDS(ON) < 15mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源