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HXY9435S
P沟道增强型MOSFET,电流:-5A,耐压:-30V
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，特别适合于30V电压环境下的低电平驱动应用。额定电流5A，具备卓越的开关性能与低导通电阻，适用于电池保护、负载切换和电源管理等场景。小巧尺寸，高效率设计，为电子设备提供稳定可靠的功率控制解决方案。
- 商品型号
- HXY9435S
- 商品编号
- C3033409
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |