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HXY4407S
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用小型化SOP-8封装，专为30V电压环境设计，提供高达12A的连续大电流处理能力。器件具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源转换器以及高效能电子设备的功率控制解决方案中。
- 商品型号
- HXY4407S
- 商品编号
- C3033408
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
HXY4407S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -12A
- RDS(ON) < 15mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源