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HXY4406S
停产
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流8.5A。专为中低功率应用设计，如电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具有小型化和高效能特点，是现代电子设备的理想半导体组件。
- 商品型号
- HXY4406S
- 商品编号
- C3033406
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 816.2pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 82.6pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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