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HXY4406S
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A 停产
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描述
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流8.5A。专为中低功率应用设计，如电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具有小型化和高效能特点，是现代电子设备的理想半导体组件。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY4406S商品编号
C3033406商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 583pF@15V |
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