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NVMTS4D3N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:165A
- 描述
- 特性：小尺寸封装 (8x8mm)，适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(ON)，以降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序(PPAP)文件。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMTS4D3N15MC
- 商品编号
- C2902189
- 商品封装
- PowerTDFN-8(7.9x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.661538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 292W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@521uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.514nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.75nF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以降低驱动损耗
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
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