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NVBLS1D7N08H

1个N沟道耐压:80V 电流:241.3A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NVBLS1D7N08H
商品编号: C2902188
商品封装: H-PSOF-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.04克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便。

商品特性

低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

应用领域

计算机/显示器电源
电信/服务器电源
工业电源
照明/充电器/适配器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	241.3A
	导通电阻(RDS(on))	1.7mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	237.5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	121nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.675nF
	反向传输电容(Crss)	41pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道