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AON3414-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- AON3414 是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET，具有卓越的空间利用率和散热性能。在30V的最大漏源电压(VDSS)下，可实现高达20A的连续漏极电流(ID)，尤其适用于需要大电流处理能力的场合。其优异的15mΩ导通电阻，确保了系统运行的高效低耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及其他需要高性能MOSFET的领域。
- 商品型号
- AON3414-HXY
- 商品编号
- C22366917
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0655克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
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