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BUK9M53-60EX-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK9M53-60EX-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
BUK9M53-60EX 是一款高性能N沟道MOS管,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和高效能应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS和20A的连续电流ID处理能力,适合于大电流场合。其31mR的导通电阻RD(on)有效降低了系统损耗,增强了能源效率。广泛应用于开关电源、电机驱动等领域,是您设计高效节能电路的理想半导体元件。
商品型号
BUK9M53-60EX-HXY
商品编号
C22366859
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0585克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)20.3nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

BUK9M53-60EX采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 15A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 40mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF