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BSS816NWH6327XTSA1-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- BSS816NWH6327XTSA1 是一款精密N沟道MOSFET，采用小型SOT-323封装，专为紧凑型和高效能电子设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，具备稳定的2A漏极电流(ID)，并具有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了卓越的能源效率和低功耗表现。此款MOS管广泛应用在移动设备、电源管理、信号切换等对尺寸和效率要求高的电路中，是实现小型化、节能解决方案的关键元件。
- 商品型号
- BSS816NWH6327XTSA1-HXY
- 商品编号
- C22366684
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |