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AO3409-HXY
P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- AO3409 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封装，专为高集成度和节能电子设计。该器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载4.2A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的45mΩ导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下仍能保持高效的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等场景，是小型化、高性能电子设备的优选半导体元件。
- 商品型号
- AO3409-HXY
- 商品编号
- C22366696
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
MCH3479采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET