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AO3403-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- AO3403 是一款高效P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电子应用设计。该器件支持最大30V的漏源电压(VDSS)，能够承载高达4.2A的连续漏极电流(ID)，并具有低至45mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低功耗环境下依然维持卓越的电能转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护电路等领域，是打造节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。
- 商品型号
- AO3403-HXY
- 商品编号
- C22366697
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
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