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IRLML2502PBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML2502PBF-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:9A

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描述
这款N型场效应管拥有出色的电流承载能力,高达6A,同时能承受最高20V的电压。其内阻典型值为22mΩ,确保了高效率。VGS为12V,使得产品在多种应用中都能保持稳定的性能。适用于电源管理、信号放大及开关电路等,是电子设备的理想选择。
商品型号
IRLML2502PBF-HXY
商品编号
C22366704
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.025333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)96pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)295pF

商品概述

IRLML2402GPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 20V ID = 2.3A
  • RDS(ON) < 60mΩ @ VGS = 4.5V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF