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ST2300-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- ST2300 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电路设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，在18mR的超低导通电阻(RD(on))条件下，可承载最大6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源转换、电机驱动、负载开关等应用领域，ST2300 凭借其强大的电流处理能力和优秀的能效表现，成为您优化系统性能的理想半导体元件。
- 商品型号
- ST2300-HXY
- 商品编号
- C22366728
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
SQ2348ES-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.8A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 28 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源