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STN8882D-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- STN8882D 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为大电流、低阻抗应用研发。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，并能在极为优异的3.8mR导通电阻(RD(on))下，承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等场景，凭借其卓越的电流承载能力和高效能表现，成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体组件。
- 商品型号
- STN8882D-HXY
- 商品编号
- C22366748
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
DMP4050SSS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40V，ID = -13A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET