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DMN3009LFVW-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此款N型场效应管具备100A的电流处理能力和30V的最大工作电压，适用于非工业应用。其内阻典型值为4mΩ，有助于降低能量损耗。20V的VGS阈值电压确保了在多种应用中的稳定性能。该元件非常适合用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及便携式设备中，确保了在这些应用场景中的卓越表现和可靠性。
- 商品型号
- DMN3009LFVW-HXY
- 商品编号
- C22366755
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PSMN4R3 - 30BL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 100 A
- RDS(ON) < 5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源