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AO4801A-HXY
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- AO4801A 是一款高性能2个P沟道沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为各类电子设备提供高效功率控制。关键参数包括最大工作电压VDSS高达30V，支持5.3A的连续漏极电流，确保强大电流处理能力；导通电阻RD(on)低至35mΩ，有助于减少能耗，提高系统效率。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关控制等领域，是您实现节能、高性能设计方案的理想MOS管选择。
- 商品型号
- AO4801A-HXY
- 商品编号
- C22366783
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
SVD2955采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 60V，ID = - 10A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
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