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BSS84Q-HXY
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.1A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流0.1A，适用于小电流场景。电压达50V，可在一定电压范围内稳定工作。内阻典型值2000mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于一些低功率的电子设备中，实现对电流的控制和稳定电压输出。
- 商品型号
- BSS84Q-HXY
- 商品编号
- C22366795
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
BSS84Q 采用了先进的沟槽技术及设计，能够提供出色的导通电阻（RDS(ON)）并具有较低的栅极电荷。它可应用于多种场合。
商品特性
- 漏极 - 源极电压（VDS）：-50 伏，漏极电流（ID）：-0.1 安培
- 当栅极 - 漏极电压（VGS）为-10 伏时，导通电阻（RDS(ON)）小于 5 欧姆
- 当栅极 - 漏极电压（VGS）为-4.5 伏时，导通电阻（RDS(ON)）小于 6 欧姆
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直流 - 直流转换器
- SOT - 23 封装
- P 型场效应晶体管
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