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BSS84Q-HXY实物图
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BSS84Q-HXY

1个P沟道 耐压:50V 电流:0.1A

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描述
此场效应管为P型,电流0.1A,适用于小电流场景。电压达50V,可在一定电压范围内稳定工作。内阻典型值2000mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于一些低功率的电子设备中,实现对电流的控制和稳定电压输出。
商品型号
BSS84Q-HXY
商品编号
C22366795
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)100mA
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Ciss)25pF
反向传输电容(Crss)3.5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)15pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF