SM6442D1RL-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 型号为SM6442D1RL 的N沟道MOS管,采用先进的DFN5X6-8L封装技术,尺寸精巧,布局灵活,特别适合高密度集成设计。该器件拥有卓越的电气参数40V的最大漏源电压(VDSS),可承受高达60A的连续漏极电流(ID),且导通电阻低至6.9mΩ(RD(on)),保证了高效的能源转换和传输性能。本产品广泛应用于开关电源、充电器、电机驱动等对效率要求较高的电路系统,是您提升整体系统性能的优质之选。
- 商品型号
- SM6442D1RL-HXY
- 商品编号
- C22366799
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.509nF |
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