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SM6442D1RL-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 型号为SM6442D1RL 的N沟道MOS管，采用先进的DFN5X6-8L封装技术，尺寸精巧，布局灵活，特别适合高密度集成设计。该器件拥有卓越的电气参数40V的最大漏源电压(VDSS)，可承受高达60A的连续漏极电流(ID)，且导通电阻低至6.9mΩ(RD(on))，保证了高效的能源转换和传输性能。本产品广泛应用于开关电源、充电器、电机驱动等对效率要求较高的电路系统，是您提升整体系统性能的优质之选。
- 商品型号
- SM6442D1RL-HXY
- 商品编号
- C22366799
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
SI7848BDP-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 55 A
- RDS(ON) < 8.5mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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