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NVMFS5C466N-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 这款场效应管为N型。电流高达70A，能承载较大的电流负荷。电压为40V，适应多种电压环境。内阻典型值仅6.5mR，较低内阻可提升性能。VGS为20V。适用于各类电子产品，在电源管理和信号处理方面表现出色，确保电路稳定运行。
- 商品型号
- NVMFS5C466N-HXY
- 商品编号
- C22366806
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
FDN5618P采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60 V，漏极电流ID = -2 A
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 160 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 200 mΩ
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET
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