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SIR426DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- SIR426DP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小巧的DFN5X6-8L封装，专为现代电子设备的紧凑设计而生。该器件提供了40V的漏源电压(VDSS)，并支持高达60A的连续漏极电流(ID)，确保强大电流处理能力。更值得一提的是其出色的导通电阻仅为6.9mΩ(RD(on))，有效降低功耗，提高能源效率。这款MOS管适用于电源转换、电机驱动等各种高功率应用场景，是您实现高效、节能设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- SIR426DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366803
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.278nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
AON6236采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V ID = 55A
- RDS(ON) < 8.5mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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