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CSD18504Q5A-HXY

1个N沟道耐压:40V 电流:70A

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描述: CSD18504Q5A 是一款N沟道MOS管，采用小型DFN5X6-8L封装，特别适用于高密度PCB布局。其核心参数包括40V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载高达60A的连续漏极电流(ID)，并拥有出色的低导通电阻特性，仅为6.9mΩ(RD(on))，确保了高效能和低损耗运行。这款MOS管广泛用于电源管理、逆变器、电动工具等领域，以其卓越的电气性能成为高功率应用的理想解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CSD18504Q5A-HXY
商品编号: C22366801
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12725克(g)

商品参数

SIR426DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。