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NTMFS5C468NL-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流达70A，能应对较大功率需求。电压为40V，适应多种电路场景。内阻典型值6.5mR，可降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中，确保稳定运行。
- 商品型号
- NTMFS5C468NL-HXY
- 商品编号
- C22366802
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.278nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
CSD18504Q5A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V
- 漏极电流ID = 55 A
- 导通电阻RDS(ON) < 8.5mΩ，栅源电压VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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